一、概述
半导体级臭氧发生器应用于微电子产品生产用高纯水、半导体、显像管等制造业。臭氧分解和所需羟基的形成正好在污染物所处的位置上发生。通过采用这种方法达到了工艺上的目标，晶圆在一个被注入了干燥臭氧气体的工艺腔中，同时水雾被喷到晶圆的表面。约240g/m3的高浓度臭氧被注入到工艺腔中，而同时把水以水雾或气雾的形式喷到旋转晶圆的表面。晶圆的旋转，加上适度的喷水速率，会产生一个薄层中，臭氧发生反应产生活性物质来清除污染物。
二、主要技术参数:
