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薄膜沉积臭氧应用
一、概述
用于制造微电子器件的薄膜都是使用某种沉积技术形成的，该术语是指在基板上形成沉积物。在半导体器件制造中，以下沉积技术（及其常用的缩写）为：
1、低压化学气相沉积-LPCVD
2、等离子体增强化学气相沉积-PECVD
3、低于大气压的化学气相沉积-SACVD
4、大气压化学气相沉积-APCVD
5、原子层沉积-ALD
6、物理气相沉积-PVD
7、超高真空化学气相沉积-UHV-CVD
8、类金刚石碳-DLC
9、商业电影-CF
10、外延沉积-Epi
11、化学气相沉积和薄膜形成
化学气相沉积法可以定义为其中通过气相吸附的前体的表面介导反应在基材上形成固体薄膜的任何方法。CVD工艺的反应性使其与物理工艺（如PVD中采用的蒸发和溅射）区别开来。术语“表面介导的”是指固体膜是由在基材表面发生的异质反应形成的。有关其他信息，请参见化学气相沉积物理。
图1显示了有助于理解CVD反应器中不同过程的示意图。化学气相沉积过程可分为多个离散步骤：首先，必须将前体化学物质送入CVD反应器。一旦进入反应器，通常必须通过流体传输和扩散的组合将前体分子传输到基底表面。一旦在表面上，前体分子必须保持足够长的时间才能反应。反应发生后，产物薄膜原子必须保留在表面上，而副产物分子必须从基材表面解吸，从而为更多的传入前体分子腾出空间。
图1
二、薄膜沉积产品
前体交付产品（ALD除外），基于热和压力的质量流量控制器（MFC）和仪表（MFM）旨在满足各种加工应用。大多数MKS质量流量控制和计量产品都提供带有嵌入式Modbus和以太网用户界面的模拟（0-5 VDC； 4-20 mA）和数字（Devicenet，Profibus，EtherCAT，RS485）I / O。
臭氧气体输送产品适用于多种目的，包括TEOS / O 3 SACVD。它们结合了经过现场验证的高浓度超净臭氧发生技术，以及集成的臭氧浓度监测器，流量控制和功率分配。在某些型号上提供安全监视器，状态指示器和臭氧破坏功能。
